Semiconductor High-purity Gas Air Separation Unit

Kerneteknologi

Ultra-ren forbehandling:"Tre-trinsfiltrering + dobbelt adsorption + katalytisk deoxygenering" – ULPA-filtre og høj- molekylsigter fjerner vand (dugpunkt mindre end eller lig med -90 grader ) og CO₂ (mindre end eller lig med 0,01 ppm) og palladium til 0,01 ppm, eller palladium katalysator, 1 ppm lægger grundlaget for destillation.
 

Kryogen destillationsrensning:"Multi-tårnkaskade + høj-effektiv pakning" – Hovedtårnet bruger 316L bølgepap til indledende adskillelse til 5N renhed. Et nitrogen/argon-raffineringstårn tilføjes for at opnå en endelig nitrogenrenhed på 7N og en argonrenhed på 7,5N, hvilket fjerner spor urenheder (metan mindre end eller lig med 0,05ppb).

 

Ultra-ren efter-behandling:Eksklusiv rensning for at forhindre sekundær kontaminering – PTFE-filtre filtrerer partikler Større end eller lig med 0,01μm, ionbytterkolonner reducerer metalioner, og aktiverede kulbeholdere kontrollerer VOC'er til Mindre end eller lig med 0,05ppb.
 

Stabil leveringskontrol:Høj-præcision lukket-sløjfesystem – halvleder-kvalitet MFC, 316L EP-kvalitetsrør (Ra mindre end eller lig med 0,2μm), fuldautomatisk svejsning (kvalificeret hastighed 100%), kompatibel med SEMI F30.

 

arbejdsprincip

 

 

 

Flertrins-kompositforbehandlingsprincip

En kobling i tre-trin af "filtrering + adsorption + katalyse": ULPA-filtre og høj-molekylærsigter fjerner vand (dugpunkt mindre end eller lig med -90 grader ) og CO₂ (mindre end eller lig med 0,01 ppm), mens palladium-katalysatorer, der er lig med ilt til, ppm, fjerner ilt til, ppm. høj renhed.

 

 

Dyb-kold destillation og fraktioneret separationsprincip

Ved at udnytte kogepunktsforskellene mellem oxygen, nitrogen og argon bruges flere kolonner i serie til oprensning: Hovedsøjlen med 316L pakning opnår initial adskillelse til 5N; nitrogen/argon raffineringssøjlen (-196 grader) fjerner spor urenheder, hvilket i sidste ende opnår nitrogenkoncentrationer på 7N og argonkoncentrationer på 7,5N (methan mindre end eller lig med 0,05 ppb).

 

 

Ultra-ren efter-princip til forebyggelse af forurening

Proprietær rensning forhindrer sekundær forurening: PTFE-filtre, ionbytterkolonner reducerer metalioner (mindre end eller lig med 0,01 ppb), og aktiverede kulbeholdere kontrollerer VOC'er til Mindre end eller lig med 0,05 ppb, hvilket sikrer gasrens renhed.

 

 

Høj-præcisionslukket-løkketransportkontrolprincip

"High-Precision Control + Clean Piping": Halvleder-kvalitets MFC og 316L EP-rør (Ra mindre end eller lig med 0,2μm) er fuldautomatisk svejset for at sikre stabil transport og uformindsket renhed.

 

1. Kan gasrenheden produceret af dette udstyr tilpasses kravene i forskellige halvlederprocesser?

Vi kan skræddersy renhedsløsninger baseret på specifikke proceskrav. Ved at justere raffineringstårnprocessen og efter-behandlingsmodulerne kan vi opnå et stabilt output, der opfylder kravene til 14nm-processer. Gasser med høj-renhed til avancerede processer, inklusive dem nedenfor, kan optimeres til fremtidige procesopgraderinger uden at kræve en komplet udskiftning af udstyr.
 

2. Hvordan kan vi forhindre sekundær gasforurening under drift af udstyret? Halvlederproduktion kræver ekstremt høje renhedsniveauer.

Dette sikres på to måder: For det første fjerner et dedikeret ultra-rent efter-behandlingssystem små partikler og metalioner gennem processer som ultrafiltrering og ionbytning. For det andet anvender leveringsprocessen specialiserede rørmaterialer og optimerede svejseteknikker for at minimere urenhedsadsorption på rørvæggene og dermed forhindre sekundær gasforurening gennem hele processen.
 

3. Under drift af udstyret kan gasflow og tryksvingninger påvirke halvlederbehandlingen. Hvordan kan vi sikre stabile parametre?

Et høj-præcisions lukket-sløjfekontrolsystem kombineret med en professionel flowcontroller til realtidsparameterjustering og optimeret rørdesign, kontrollerer effektivt flow- og tryksvingninger, hvilket sikrer stabile gasforsyningsparametre, der opfylder præcisionskravene til halvlederprocesser.
 

4. Er udstyrsvedligeholdelse kompleks? Vil vedligeholdelse påvirke den kontinuerlige drift af halvlederproduktionslinjen?

Den forenklede vedligeholdelsesproces giver mulighed for tidlig advarsel om vedligeholdelse af kernekomponenter gennem online overvågning. Systemet understøtter også "offline præfabrikation + onlineforbindelse." Med en omfattende vedligeholdelsesmodel kræver kritisk vedligeholdelse kun kort nedetid, og der vil blive udviklet en midlertidig gasforsyningsplan for at minimere forstyrrelser i produktionslinjen.

5. Hvis halvlederfabrikken udvider kapaciteten i fremtiden, kan det eksisterende udstyr så udvides? Er denne udvidelse svær?

Udstyret har indbyggede-udvidelsesporte. Kapacitetsudvidelse kræver kun tilføjelse af de tilsvarende raffineringsmoduler og transportkomponenter uden at demontere kernedestillationssystemet. Detaljerede procesberegninger og præfabrikation udføres før udvidelsen, hvilket resulterer i en kort -opførelsesperiode på stedet og minimal kompleksitet, hvilket muliggør hurtig tilpasning til behov for kapacitetsvækst.

Populære tags: semiconductor high-purity gas air separation unit, China semiconductor high-purity gas air separation unit , leverandører, fabrik